Електронни части : BUL642D2G

Производител : Semiconductor

Опаковка :

Pins :

Описание : High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network

Температура : Мин °C | Макс °C

Datasheet : BUL642D2G PDF

• BUL642D2
• BUL642D2G