Електронни части : K4R271869B-NCK8

Производител : Samsung

Опаковка : microBGA(mirrored CS

Pins : 54

Описание : 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time 45 ns, I/O freq. 800 MHz.

Температура : Мин °C | Макс °C

Datasheet : K4R271869B-NCK8 PDF

• K4R271869B-MCG6
• K4R271869B-MCK7
• K4R271869B-MCK8
• K4R271869B-NCG6
• K4R271869B-NCK7
• K4R271869B-NCK8